2001 Jan 29
3
NXP Semiconductors
Product specification
Silicon PIN diode
BAP64-04W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tj
=25?C unless otherwise specified.
Note
1. Guaranteed on AQL basis: inspection level S4, AQL 1.0.
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT
Per diode
VF
forward voltage
IF
= 50 mA
0.95 1.1 V
IR
reverse current
VR
= 100 V
?
10
?A
VR
=20V
?
1
?A
Cd
diode capacitance
VR
= 0; f = 1 MHz
0.52
?
pF
VR
= 1 V; f = 1 MHz
0.37
?
pF
VR
= 20 V; f = 1 MHz
0.23 0.35 pF
rD
diode forward resistance
IF
= 0.5 mA; f = 100 MHz; note 1 20 40
?
IF
= 1 mA; f = 100 MHz; note 1 10 20
?
IF
=10mA; f=100MHz; note1 2 3.8
?
IF= 100 mA; f = 100 MHz; note 1 0.7 1.35
?
?L
charge carrier life time
when switched from IF
=10mA to
IR
=6mA; RL
=100?;
measured at IR
=3mA
1.55
??s
LS
series inductance
IF
= 100 mA; f = 100 MHz
1.6
?
nH
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
Rth j-s
thermal resistance from junction to soldering point
250 K/W
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